Chwazi peyi ou oswa rejyon an.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїнаO'zbekગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaதமிழ் மொழி

Ranpli 3nm devlopman pwosesis nan 2020, ki sa ki asasen yo nan Samsung nan epòk la 5G?

2019 se yon ane nan ki 5G teknoloji se byen li te ye ak kontakte pa konsomatè yo. Nan konmansman an nan ane sa a, Samsung lage premye 5G komèsyal telefòn mobil vèsyon an Galaksi S105G, ki se premye moun ki bay konsomatè yo ak yon pwodwi tèminal ki ka santi rezo a 5G.

Poukisa ka Samsung bay 5G pwodwi yo vit konsa, ki se ki gen rapò ak efò yo te fè nan rechèch la ak devlopman ak ajou nan teknoloji 5G. Dènyèman, nan la Samsung 5G Teknoloji Forum, li pataje enfòmasyon teknik la nan Samsung nan epòk la 5G ak Jiwei. Ann pran yon gade nan sa ki Samsung te modènize nan 5G.

Self-devlope chip 5G ak 3nm ap vini ane pwochèn

Nan kòmansman mwa septanm 2019, Samsung Elektwonik lage premye li yo entegre 5G chip Exynos980. Chip la sèvi ak yon pwosesis 8nm nan konbine yon modèm kominikasyon 5G ak yon pèfòmans-wo AP mobil (ApplicationProcessor). Nan tan lontan "Samsung fondri Forum" SFF reyinyon an, Samsung yon lòt fwa ankò te anonse pwogrè nan nouvo jenerasyon li yo nan teknoloji, mikwo-rezo a te aprann ke 3nm pwosesis yo pral ranpli ane pwochèn.

Selon teknisyen samsoun 5G R & D, nan 3nm ne, Samsung ap chanje soti nan Finfet tranzistò pou GAA entourant pòtay antoure. Pwosesis la 3nm sèvi ak premye jenerasyon an nan tranzistò GAA, ki se ofisyèlman rele pwosesis la 3GAE. Baze sou nouvo estrikti tranzistò GAA a, Samsung te kreye yon MBCFET (Multi-Bridge-ChannelFET) lè l sèvi avèk aparèy nanosank, ki ka amelyore siyifikativman pèfòmans tranzistò ak ranplase FinFET teknoloji tranzistò.

Anplis de sa, teknoloji MBCFET se konpatib ak ki deja egziste FinFET teknoloji pwosesis manifakti ak ekipman yo akselere devlopman pwosesis ak pwodiksyon. Konpare ak aktyèl la 7nm pwosesis, pwosesis la 3nm diminye zòn debaz pa 45 pousan, pouvwa konsomasyon pa 50 pousan, ak pèfòmans pa 35 pousan. An tèm de pwogrè pwosesis, Samsung te deja pwodwi 7nm bato nan plant la S3Line nan Hwaseong, Kore di sid nan mwa avril ane sa a. Li espere konplete 4nm devlopman pwosesis nan ane sa a ak 3nm devlopman pwosesis espere nan 2020.

Solisyon fen-a-fen 5G

Nan epòk 5 G la, Samsung se premye sèn nan tèm de teknoloji ak pwodwi yo. Avantaj espesifik sa yo reflete nan pwen sa yo:

Premyèman, an tèm de rive, Samsung 5G rive yo abondan; Dezyèmman, nan gwoup travay 3GPP, Samsung gen yon total 12 prezidan oswa vis-prezidan; twazyèm, nan parayj la ak rechèch ak devlopman nan teknoloji onn milimèt, Samsung tès Pwoteksyon an vag milimèt kouvri yon distans ki gen plis pase 1km soti nan liy lan nan je, ak pwoteksyon an ki pa liy-of-vi rive nan plizyè santèn mèt. An menm tan an, li kapab itilize nan zòn nan iben dans ak ki deja egziste 4G estasyon baz la.

Kounye a, Samsung gen twa bato, Modem, chip pouvwa, ak RF chip, ak tout nan yo yo pare pou pwodiksyon an mas; ekipman rezo gen ladan 5G estasyon baz ak 5G routeur (andedan ak deyò). Sèvis pwodwi fen-a-fen Samsung nan 5G mache a gen ladan ekipman rezo fen-a-fen RF bato, bato tèminal, terminaux, rezo san fil, rezo debaz, ak lojisyèl planifikasyon rezo.

Mwen kwè ke nan tan kap vini yo 5G, Samsung se pare kite nou gade pou pi devan pou vini nan nouvo teknoloji.