TP65H050WS / TP65H035WS Twazyèm Jenerasyon (Gen III) Nwayo Nitr (GaN) Tranzist Efè Jaden (FETs)

FET GaN Transphorm nan prezante yon entèval ki pi silansyeu pa diminye entèferans elektwomayetik (EMI) ak ogmante iminite bri

Transform nan TP65H050WS ak TP65H035WS yo Gen III 650 V GaN FETs. Yo bay pi ba EMI, ogmante iminite baryè baryè, ak pi wo baro nan aplikasyon pou sikwi. 50 mΩ TP65H050WS ak 35 mΩ TP65H035WS yo disponib nan pakè estanda TO-247.

Yon MOSFET ak modifikasyon konsepsyon pèmèt aparèy yo Gen III a delivre yon papòt vòltaj ogmante (iminite bri) a 4 V soti nan 2.1 V (Gen II) ki elimine bezwen pou yon kondwi pòtay negatif. Fyabilite nan pòtay ogmante de Gen II pa 11% jiska ± 20 V maksimòm. Rezilta sa a nan entèfas pi dousman ak platfòm la delivre amelyorasyon pèfòmans nan pi wo nivo aktyèl ak sikwiyè ekstèn senp.

1600T Konpayi Sezonik Elektwonik la se yon 1600 W, bridgeless totem-poto platfòm ki itilize sa yo vòl GN segondè vòltaj yo pote 99% pouvwa faktè koreksyon (PFC) efikasite nan chajè batri (e-scooters, endistriyèl, ak plis ankò), pouvwa PC, serveurs. , ak mache Gaming. Benefis ki genyen nan lè l sèvi avèk FETs sa yo ak platfòm la ki baze sou Silisyòm 1600T enkli ogmante efikasite pa 2% ak dansite pouvwa ogmante pa 20%.

Platfòm nan 1600T anplwaye Transform nan TP65H035WS reyalize ogmante efikasite nan difisil- ak mou-chanje sikwi ak bay opsyon itilizatè lè konsepsyon pwodwi sistèm pouvwa. Pè TP65H035WS ak chofè pòtay ki souvan itilize pou senplifye desen yo.